便攜式IGBT測試儀-華科動態(tài)參數(shù)IGBT
4驗收和測試3)驗收試驗應在-10～40℃環(huán)境溫度下進行，便攜式igbt測試儀現(xiàn)貨供應，驗收完成后測試平臺及外部組件和裝置均應安裝在買方的位置上。電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200a電流輸出需求（10ms）。4)測試單元發(fā)貨到買方前，賣方應進行出廠試驗。賣方出廠試驗詳細方案應提前提交買方評估，便攜式igbt測試儀，通過買方評估合格后實施方可視為有效試驗。否則，便攜式igbt測試儀廠家，需按買方提出的修改意見重新制定出廠試驗方案，直至買方評估合格。
什么是大功率半導體元件？其用途為何？
凡是半導體元件如金屬氧化場效晶體管(mosfet)、igbt(insulated gate b.transistor)及triac（可控硅）、scr（晶閘管）、 gto等各型閘流體與二*管(di ode)等，其工作電流與電壓乘積若大于1kw以上，均可屬于大功率的范圍。建議進行高溫測試，模擬器件使用工況，更為準確的判斷器件老化程度。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。
技術(shù)要求
3.1整體技術(shù)指標
3.1.1 功能與測試對象
*1）功能
gbt模塊動態(tài)參數(shù)測試。
*2）測試對象
被測器件igbt模塊動態(tài)參數(shù)。測試溫度范圍 tj=25°及125°。
3.1.2 igbt模塊動態(tài)測試參數(shù)及指標
測試單元對igbt模塊和frd的動態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足iec60747-9以及iec60747-2。
以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進行。
便攜式igbt測試儀-華科動態(tài)參數(shù)igbt由深圳市華科智源科技有限公司提供?，F(xiàn)代新型igbt大功率器件的全參數(shù)進行智能化測試測試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性。深圳市華科智源科技有限公司實力不俗，信譽可靠，在廣東 深圳 的電子測量儀器等行業(yè)積累了大批忠誠的客戶。華科智源帶著精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善*理念和您攜手步入*，共創(chuàng)美好未來！
