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關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率
當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,但由于相移的關(guān)系,電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。
為了克服上述問(wèn)題,可以在端子mt1和mt2之間加一個(gè)rc網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100r,電容取100nf。值得注意的是此電阻不能省掉。
關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率
當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,但由于相移的關(guān)系,電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。
為了克服上述問(wèn)題,可以在端子mt1和mt2之間加一個(gè)rc網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100r,電容取100nf。值得注意的是此電阻不能省掉。
電流
⒈ 額定通態(tài)電流(it)即大穩(wěn)定工作電流,俗稱電流。常用可控硅的it一般為一安到幾十安。
⒉反向重復(fù)峰值電壓(vrrm)或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓(vdrm),俗稱耐壓。常用可控硅的vrrm/vdrm一般為幾百伏到一千伏。
⒊ 控制極觸發(fā)電流(igt),俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的igt一般為幾微安到幾十毫安。
4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。
關(guān)于轉(zhuǎn)換電壓變化率
當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè)大的電感性負(fù)載時(shí),在負(fù)載電壓和電流間有一個(gè)很大的相移。當(dāng)負(fù)載電流過(guò)零時(shí),雙向可控硅(晶閘管)開(kāi)始換向,但由于相移的關(guān)系,電壓將不會(huì)是零。所以要求可控硅(晶閘管)要迅速關(guān)斷這個(gè)電壓。如果這時(shí)換向電壓的變化超過(guò)允許值時(shí),就沒(méi)有足夠的時(shí)間使結(jié)間的電荷釋放掉,而被迫使雙向可控硅(晶閘管)回到導(dǎo)通狀態(tài)。
為了克服上述問(wèn)題,可以在端子mt1和mt2之間加一個(gè)rc網(wǎng)絡(luò)來(lái)限制電壓的變化,以防止誤觸發(fā)。一般,電阻取100r,電容取100nf。值得注意的是此電阻不能省掉。
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